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国产DDR4内存有望年内投产 耗资25亿美元研发
发布时间:2019-06-11

国产DDR4内存有望年内投产 耗资25亿美元研发

    目前安徽省印发《2019年省级调度重大项目计划的通知》,《通知》提到合肥长鑫12英寸存储晶圆制造基地项目一期研发阶段所有单体已完成,目前研发线晶圆片电性测试良好,成品芯片功能通过;正在进行良率提升以及量产准备工作。   位于安徽合肥的长鑫存储的年目标是,部分生产线投入使用。 根据计划,长鑫将于2018年年底推出8GbDDR4工程样品,2019年三季度推出8GbLPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。

从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17nm的研发。   按照合肥长鑫公司高管此前公布的发展规划来看,2018年底量产8GbDDR4工程样品;2019年3季度量产8GbLPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

    长鑫存储时间表  而提到长鑫存储,相信我们的很多网友都会感到陌生。 合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售,而最初技术来源是奇梦达。

  在5月中旬举行的GSA+Memory存储峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源——已破产的奇梦达公司。

    技术源自奇梦达  通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。 长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过15000片。   朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上,尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价,累计研发费用高达25亿美元,建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。   目前合肥长鑫已累积有1万6千个专利申请,加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

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